casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HER308GT-G
Número de pieza del fabricante | HER308GT-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HER308GT-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER308GT-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 1000V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER308GT-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HER308GT-G-FT |
EU 1V0
Sanken
EU 1V1
Sanken
EU 1Z
Sanken
EU 1ZV
Sanken
EU 1ZV0
Sanken
EU 1ZV1
Sanken
EU 2
Sanken
EU 2A
Sanken
EU 2AV
Sanken
EU 2AV0
Sanken
A40MX02-3VQG80
Microsemi Corporation
AT6005ALV-4AC
Microchip Technology
XC3S1000-5FGG320C
Xilinx Inc.
XCV200-4FG456I
Xilinx Inc.
AT40K10LV-3CQI
Microchip Technology
EP20K200CF672C8
Intel
EP3C16E144I7N
Intel
5SGXEA7N3F45I3L
Intel
5SGXEA7K2F35C2N
Intel
EP1C20F324I7N
Intel