casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HER307GT-G
Número de pieza del fabricante | HER307GT-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HER307GT-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER307GT-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 3A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-201AA, DO-27, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-27 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER307GT-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HER307GT-G-FT |
EU 1
Sanken
EU 1V
Sanken
EU 1V0
Sanken
EU 1V1
Sanken
EU 1Z
Sanken
EU 1ZV
Sanken
EU 1ZV0
Sanken
EU 1ZV1
Sanken
EU 2
Sanken
EU 2A
Sanken
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel