casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HER108G B0G
Número de pieza del fabricante | HER108G B0G |
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Número de parte futuro | FT-HER108G B0G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER108G B0G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | - |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.7V @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 75ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 5µA @ 1000V |
Capacitancia a Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | DO-204AL, DO-41, Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 150°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER108G B0G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HER108G B0G-FT |
1N4003GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4004GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4005GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel