casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / HER102S-AP
Número de pieza del fabricante | HER102S-AP |
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Número de parte futuro | FT-HER102S-AP |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HER102S-AP Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 40V |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 50ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | - |
Capacitancia a Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | A-405 |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -55°C ~ 125°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HER102S-AP Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HER102S-AP-FT |
GL34K-TP
Micro Commercial Co
GL34M-TP
Micro Commercial Co
GP10-4002-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002-M3S/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4002E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10-4006E-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel