casa / productos / Relés / Relés de potencia, más de 2 amperios / HE1AN-W-DC6V-Y6
Número de pieza del fabricante | HE1AN-W-DC6V-Y6 |
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Número de parte futuro | FT-HE1AN-W-DC6V-Y6 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HE-PV |
HE1AN-W-DC6V-Y6 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de relé | Through Hole |
Tipo de bobina | 6VDC |
Corriente de la bobina | SPST-NO (1 Form A) |
Voltaje de la bobina | 90A |
Formulario de contacto | 277VAC - Max |
Calificación de contacto (actual) | 320mA |
Voltaje de conmutación | Non Latching |
Encienda el voltaje (máximo) | - |
Apague el voltaje (min) | PC Pin |
Operar el tiempo | 4.2 VDC |
Tiempo de liberación | 0.6 VDC |
Caracteristicas | 30ms |
Tipo de montaje | 10ms |
Estilo de terminación | -50°C ~ 55°C |
Temperatura de funcionamiento | Silver Nickel (AgNi) |
General Purpose | |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HE1AN-W-DC6V-Y6 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HE1AN-W-DC6V-Y6-FT |
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A40MX02-3VQG80I
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE6F17I8L
Intel
10CX105YU484E6G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
XC7S25-2CSGA225C
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1AFS1500-2FGG676
Microsemi Corporation
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation