casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HCT7000MTX
Número de pieza del fabricante | HCT7000MTX |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HCT7000MTX |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HCT7000MTX Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±40V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 60pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 300mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 3-SMD |
Paquete / Caja | 3-SMD, No Lead |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HCT7000MTX Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HCT7000MTX-FT |
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