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Número de pieza del fabricante | HC7-2R2-R |
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Número de parte futuro | FT-HC7-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HC7 |
HC7-2R2-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 13A |
Corriente - Saturación | 23.6A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 5.2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 155°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.543" L x 0.512" W (13.80mm x 13.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.217" (5.50mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC7-2R2-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HC7-2R2-R-FT |
SD25-6R8-R
Eaton - Electronics Division
SD25-8R2-R
Eaton - Electronics Division
SD25-102-R
Eaton - Electronics Division
SD25-1R5-R
Eaton - Electronics Division
SD25-220-R
Eaton - Electronics Division
SD25-221-R
Eaton - Electronics Division
SD25-330-R
Eaton - Electronics Division
SD25-331-R
Eaton - Electronics Division
SD25-3R3-R
Eaton - Electronics Division
SD25-471-R
Eaton - Electronics Division
A1415A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CSG325I
Xilinx Inc.
LAXP2-8E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
10M25DAF484C7G
Intel
5SGXMA4K1F35C2LN
Intel
EP4SGX530HH35C3NES
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
XC7K410T-2FFG900I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP4CE40F29I7N
Intel