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Número de pieza del fabricante | HC2-2R2-R |
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Número de parte futuro | FT-HC2-2R2-R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HC2 |
HC2-2R2-R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 24.3A |
Corriente - Saturación | 31.9A |
Blindaje | Unshielded |
Resistencia DC (DCR) | 2.3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 300kHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.756" L x 0.748" W (19.20mm x 19.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.500" (12.70mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HC2-2R2-R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HC2-2R2-R-FT |
SD25-220-R
Eaton - Electronics Division
SD25-221-R
Eaton - Electronics Division
SD25-330-R
Eaton - Electronics Division
SD25-331-R
Eaton - Electronics Division
SD25-3R3-R
Eaton - Electronics Division
SD25-471-R
Eaton - Electronics Division
SD25-680-R
Eaton - Electronics Division
SD25-681-R
Eaton - Electronics Division
SD25-820-R
Eaton - Electronics Division
SD25-821-R
Eaton - Electronics Division
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel