casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / HBDM60V600W-7
Número de pieza del fabricante | HBDM60V600W-7 |
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Número de parte futuro | FT-HBDM60V600W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HBDM60V600W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 65V, 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBDM60V600W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HBDM60V600W-7-FT |
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BV-7
Diodes Incorporated
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S50E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A42MX24-FPQ208
Microsemi Corporation
LIF-MD6000-6JMG80I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5D4F27C5N
Intel
5SGXEA5H2F35I3LN
Intel
LCMXO640C-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-640E-6MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F31I5
Intel