casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos / HBDM60V600W-7
Número de pieza del fabricante | HBDM60V600W-7 |
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Número de parte futuro | FT-HBDM60V600W-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HBDM60V600W-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de transistor | NPN, PNP |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 500mA, 600mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 65V, 60V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 100nA |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Potencia - max | 200mW |
Frecuencia - Transición | 100MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HBDM60V600W-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HBDM60V600W-7-FT |
DN0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3946DPJ-7
Diodes Incorporated
DP0150ADJ-7
Diodes Incorporated
DST3904DJ-7
Diodes Incorporated
DST847BDJ-7
Diodes Incorporated
BC857BV-7
Diodes Incorporated
BC847BV-7
Diodes Incorporated
MMDT3904V-7
Diodes Incorporated
MMDT2907V-7
Diodes Incorporated
MMDT3906VC-7
Diodes Incorporated
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel