casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / HB33M0FZRE
Número de pieza del fabricante | HB33M0FZRE |
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Número de parte futuro | FT-HB33M0FZRE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB33M0FZRE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 3 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB33M0FZRE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HB33M0FZRE-FT |
H886R6BCA
TE Connectivity Passive Product
H886R6BDA
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M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K1F40C1N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C6N
Intel
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EPF10K50SQC208-2
Intel