casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / HB31G0FZRE
Número de pieza del fabricante | HB31G0FZRE |
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Número de parte futuro | FT-HB31G0FZRE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB31G0FZRE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 1 GOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 2W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 2.047" L x 0.118" W (52.00mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB31G0FZRE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HB31G0FZRE-FT |
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
AT40K20LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CGX30BF14C8
Intel
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
XC6VSX315T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQ176I
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-1
Intel