casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / HB110MFZRE
Número de pieza del fabricante | HB110MFZRE |
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Número de parte futuro | FT-HB110MFZRE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HB, CGS |
HB110MFZRE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10 MOhms |
Tolerancia | ±1% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Thick Film |
Caracteristicas | High Voltage, Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 125°C |
Paquete / Caja | Radial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Radial Lead |
Tamaño / Dimensión | 1.043" L x 0.118" W (26.50mm x 3.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.409" (10.40mm) |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HB110MFZRE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HB110MFZRE-FT |
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XC4005XL-3TQ144C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
EP4CE6E22I7N
Intel
LFEC10E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel
EPF8820ARC208-2
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