casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HAT2299WP-EL-E
Número de pieza del fabricante | HAT2299WP-EL-E |
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Número de parte futuro | FT-HAT2299WP-EL-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
HAT2299WP-EL-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 150V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 710pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 25W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-WPAK |
Paquete / Caja | 8-PowerWDFN |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT2299WP-EL-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HAT2299WP-EL-E-FT |
NP60N055MUK-S18-AY
Renesas Electronics America
NP80N055MHE-S18-AY
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NP80N06MLG-S18-AY
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NP88N075MUE-S18-AY
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NP89N055MUK-S18-AY
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NP90N04MUG-S18-AY
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RJK0601DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0602DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
RJK0603DPN-E0#T2
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RJK0703DPN-E0#T2
Renesas Electronics America
XC3S400-5FTG256C
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XC7A25T-1CSG325C
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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5SGXEA3K1F35I2N
Intel
XC4020E-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7VX415T-2FFG1158I
Xilinx Inc.
XC7VX550T-1FFG1158C
Xilinx Inc.
XCKU5P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFXP10C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation