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Renesas Electronics America HAT2165H-EL-E

Name: HAT2165H-EL-E
Brand: Renesas Electronics America
SKU: HAT2165H-EL-E
Price: 1.0192 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (351 reviews)

Número de pieza de MFG: HAT2165H-EL-E

Cantidad disponible: 87440 Piezas

Precio de referencia: USD 1.0192

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Renesas Electronics America

Breve descripción: - MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: HAT2165H-EL-E.pdf

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HAT2165H-EL-E Presupuesto

Número de pieza del fabricante	HAT2165H-EL-E
Número de parte futuro	FT-HAT2165H-EL-E
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
HAT2165H-EL-E Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	55A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 27.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	5180pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	LFPAK
Paquete / Caja	SC-100, SOT-669
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2165H-EL-E Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	HAT2165H-EL-E-FT

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