casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / HAT1127HWS-E
Número de pieza del fabricante | HAT1127HWS-E |
---|---|
Número de parte futuro | FT-HAT1127HWS-E |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | * |
HAT1127HWS-E Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Last Time Buy |
Tipo FET | - |
Tecnología | - |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | - |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | - |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
Tipo de montaje | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Paquete / Caja | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HAT1127HWS-E Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | HAT1127HWS-E-FT |
DMT6012LPS-13
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EFC4612R-W-TR
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5SGXEB5R3F43C3N
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XC4VFX40-10FF1152I
Xilinx Inc.
A40MX04-1PLG84M
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A42MX16-2PL84I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-7FN484C
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5CGXFC4C6U19I7N
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