casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H854R9BDA
Número de pieza del fabricante | H854R9BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H854R9BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H854R9BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 54.9 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H854R9BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H854R9BDA-FT |
H8500KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8500RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8500RCCA
TE Connectivity Passive Product
H850KBBA
TE Connectivity Passive Product
H850KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8510KFCA
TE Connectivity Passive Product
H8510KFDA
TE Connectivity Passive Product
H8510KFYA
TE Connectivity Passive Product
H8510KFZA
TE Connectivity Passive Product
H8510RFCA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO640E-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XA7A75T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FTQG176
Microsemi Corporation
EP3SE50F484C3N
Intel
A42MX09-2PQ160I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000ZE-1BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50BC356-4
Intel
EP1C12F324C7
Intel
EPF10K50SQC240-3
Intel