casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H838R3BZA
Número de pieza del fabricante | H838R3BZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H838R3BZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H838R3BZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 38.3 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H838R3BZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H838R3BZA-FT |
H8357KBCA
TE Connectivity Passive Product
H8357KBDA
TE Connectivity Passive Product
H8357KBYA
TE Connectivity Passive Product
H8357KBZA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBCA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBDA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBYA
TE Connectivity Passive Product
H8357RBZA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BCA
TE Connectivity Passive Product
H835K7BDA
TE Connectivity Passive Product
M2GL010T-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-5FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K1F40C1N
Intel
5SGSMD5H2F35I3LN
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
AX500-1FG676I
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C6N
Intel
5CGXFC7C6U19I7
Intel
EPF10K50SQC208-2
Intel