casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H8210RBDA
Número de pieza del fabricante | H8210RBDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H8210RBDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8210RBDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 210 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8210RBDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H8210RBDA-FT |
H81K78BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K78DCA
TE Connectivity Passive Product
H81K78DYA
TE Connectivity Passive Product
H81K78DZA
TE Connectivity Passive Product
H81K82BCA
TE Connectivity Passive Product
H81K82BDA
TE Connectivity Passive Product
H81K82BYA
TE Connectivity Passive Product
H81K82BZA
TE Connectivity Passive Product
H81K82FCA
TE Connectivity Passive Product
H81K87BCA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel