casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H812R1DZA
Número de pieza del fabricante | H812R1DZA |
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Número de parte futuro | FT-H812R1DZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H812R1DZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 12.1 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H812R1DZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H812R1DZA-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP1K10TC100-3N
Intel
EP1K50FC256-3
Intel
XC2V1500-5BG575I
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FF1761C
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
EP2SGX90FF1508C4N
Intel