casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H8110RDZA
Número de pieza del fabricante | H8110RDZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H8110RDZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H8110RDZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 110 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H8110RDZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H8110RDZA-FT |
H4P909KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90K9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P90R9DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P910KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P91RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P953KDZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel