casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H810R7BDA
Número de pieza del fabricante | H810R7BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H810R7BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R7BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10.7 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R7BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H810R7BDA-FT |
H4P7K5FCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K87DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P820RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P82KFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P82R5DZA
TE Connectivity Passive Product
LFXP6E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EX256-TQG100A
Microsemi Corporation
XCKU035-3FBVA676E
Xilinx Inc.
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-UCG81
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXMA9K3H40C2N
Intel
A42MX16-1PQ160M
Microsemi Corporation