casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H810R2BYA
Número de pieza del fabricante | H810R2BYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H810R2BYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R2BYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10.2 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R2BYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H810R2BYA-FT |
H4P75RDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5DZA
TE Connectivity Passive Product
XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel