casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H810R2BDA
Número de pieza del fabricante | H810R2BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H810R2BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H810R2BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10.2 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.25W, 1/4W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.098" Dia x 0.283" L (2.50mm x 7.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H810R2BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H810R2BDA-FT |
H4P75KDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RDCA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RDZA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFCA
TE Connectivity Passive Product
H4P75RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78K7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P78R7DZA
TE Connectivity Passive Product
H4P7K5DCA
TE Connectivity Passive Product
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XC7A25T-L2CSG325E
Xilinx Inc.
M2GL050T-FCSG325
Microsemi Corporation
EP20K200EFC672-1
Intel
5SGXEA5K2F40I2N
Intel
5CEFA7M15I7N
Intel
XC7A35T-2CPG236I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-1300C-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP1S80F1508I7
Intel