casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H4P649RDZA
Número de pieza del fabricante | H4P649RDZA |
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Número de parte futuro | FT-H4P649RDZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P649RDZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 649 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P649RDZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H4P649RDZA-FT |
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
5SGXMB5R1F40C1N
Intel
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Intel
LFEC10E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EP20K100EQI240-3
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EPF8820ARC208-2
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