casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H4P12R1DZA
Número de pieza del fabricante | H4P12R1DZA |
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Número de parte futuro | FT-H4P12R1DZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P12R1DZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 12.1 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P12R1DZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H4P12R1DZA-FT |
H4931KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4931KBYA
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A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel