casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H4P110RDZA
Número de pieza del fabricante | H4P110RDZA |
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Número de parte futuro | FT-H4P110RDZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4P110RDZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 110 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 1W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4P110RDZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H4P110RDZA-FT |
H48K25BDA
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LFE2-12E-6T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-L1FGG676I
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C8
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGXEA5N1F45C2LN
Intel
5SGXMA5H2F35C2LN
Intel
5SGXMA7H2F35I3N
Intel
XC6SLX16-3CSG225I
Xilinx Inc.
A54SX16A-2TQG100I
Microsemi Corporation