casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H449R9BZA
Número de pieza del fabricante | H449R9BZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H449R9BZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H449R9BZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 49.9 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H449R9BZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H449R9BZA-FT |
H4442RDYA
TE Connectivity Passive Product
H444K2BCA
TE Connectivity Passive Product
H444K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H444K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H444K2BZA
TE Connectivity Passive Product
H444K2DYA
TE Connectivity Passive Product
H444R2BCA
TE Connectivity Passive Product
H444R2BDA
TE Connectivity Passive Product
H444R2BYA
TE Connectivity Passive Product
H444R2BZA
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2280E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX25-2FTG256I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EPF10K30EFC256-1
Intel
5SGXMA5K2F40I3N
Intel
EP3SE260H780C4
Intel
5SGXMA9N1F45I2N
Intel
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF19I7N
Intel
EP1C12F324C6N
Intel