casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H429R4BZA
Número de pieza del fabricante | H429R4BZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H429R4BZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H429R4BZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 29.4 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H429R4BZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H429R4BZA-FT |
H4237KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4237KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4237KBZA
TE Connectivity Passive Product
H4237KDYA
TE Connectivity Passive Product
H4237KFDA
TE Connectivity Passive Product
H4237RDYA
TE Connectivity Passive Product
H423K2BCA
TE Connectivity Passive Product
H423K2BDA
TE Connectivity Passive Product
H423K2BYA
TE Connectivity Passive Product
H423K2BZA
TE Connectivity Passive Product
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel