casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H422R6BDA
Número de pieza del fabricante | H422R6BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H422R6BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H422R6BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 22.6 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H422R6BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H422R6BDA-FT |
H4P39KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P51RFZA
TE Connectivity Passive Product
H830K1BDA
TE Connectivity Passive Product
H4P2K0FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P3K3FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P180KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P300RFZA
TE Connectivity Passive Product
H8249RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4P5K6FZA
TE Connectivity Passive Product
LFEC6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8N
Intel
10AX027H3F34E2LG
Intel
XC7K355T-L2FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VLX85-1FF676I
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057N4F40E3SG
Intel
EP4SGX230DF29C2X
Intel
EP20K200CB652C7
Intel