casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H422R1BYA
Número de pieza del fabricante | H422R1BYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H422R1BYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H422R1BYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 22.1 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H422R1BYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H422R1BYA-FT |
H820KBYA
TE Connectivity Passive Product
H4P27RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P4M0DCA
TE Connectivity Passive Product
H4P39KFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P910RFZA
TE Connectivity Passive Product
H4P51RFZA
TE Connectivity Passive Product
H830K1BDA
TE Connectivity Passive Product
H4P2K0FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P3K3FZA
TE Connectivity Passive Product
H4P180KFZA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX45T-3FGG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517C3N
Intel
10M16SCE144A7G
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
M1A3P400-2FGG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F35E3SG
Intel
EP2A70F1020C7
Intel