casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H417R4BYA
Número de pieza del fabricante | H417R4BYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H417R4BYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H417R4BYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 17.4 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H417R4BYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H417R4BYA-FT |
H415R4BDA
TE Connectivity Passive Product
H415R4BYA
TE Connectivity Passive Product
H415R4BZA
TE Connectivity Passive Product
H415R4DYA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BCA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BDA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BYA
TE Connectivity Passive Product
H415R8BZA
TE Connectivity Passive Product
H415RBCA
TE Connectivity Passive Product
H415RBDA
TE Connectivity Passive Product
A1010B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F43C2N
Intel
EP3SL340F1760I4LN
Intel
EP4CGX22BF14I7N
Intel
XC7VX550T-1FFG1927C
Xilinx Inc.
LFEC6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200QI208-3
Intel
5CGXFC9E7F35C8N
Intel