casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H414R3BDA
Número de pieza del fabricante | H414R3BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H414R3BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H414R3BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 14.3 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H414R3BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H414R3BDA-FT |
H412R7DYA
TE Connectivity Passive Product
H4130KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4130KFYA
TE Connectivity Passive Product
H4130RBCA
TE Connectivity Passive Product
H4130RBDA
TE Connectivity Passive Product
H4130RBYA
TE Connectivity Passive Product
H4130RBZA
TE Connectivity Passive Product
H4133KBCA
TE Connectivity Passive Product
H4133KBDA
TE Connectivity Passive Product
H4133KBYA
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel