casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H413K7BYA
Número de pieza del fabricante | H413K7BYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H413K7BYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H413K7BYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 13.7 kOhms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H413K7BYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H413K7BYA-FT |
H411K5DYA
TE Connectivity Passive Product
H411K8BDA
TE Connectivity Passive Product
H411KBDA
TE Connectivity Passive Product
H411KDYA
TE Connectivity Passive Product
H411R3BCA
TE Connectivity Passive Product
H411R3BDA
TE Connectivity Passive Product
H411R3BYA
TE Connectivity Passive Product
H411R3BZA
TE Connectivity Passive Product
H411R5BCA
TE Connectivity Passive Product
H411R5BDA
TE Connectivity Passive Product
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel