casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H412R4BYA
Número de pieza del fabricante | H412R4BYA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H412R4BYA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H412R4BYA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 12.4 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±15ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H412R4BYA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H412R4BYA-FT |
H410R5BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R5BZA
TE Connectivity Passive Product
H410R5DYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BCA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BDA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BYA
TE Connectivity Passive Product
H410R7BZA
TE Connectivity Passive Product
H410RBCA
TE Connectivity Passive Product
H410RBDA
TE Connectivity Passive Product
A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel