casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H4120RDZA
Número de pieza del fabricante | H4120RDZA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H4120RDZA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H4120RDZA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 120 Ohms |
Tolerancia | ±0.5% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4120RDZA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H4120RDZA-FT |
MPR20H470RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15KJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C15RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C220RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C33RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C470RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C47RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20C4K7J
TE Connectivity Passive Product
MPR20H10RJ
TE Connectivity Passive Product
MPR20HR22J
TE Connectivity Passive Product
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel