casa / productos / Resistencias / Resistencias de orificio pasante / H410R2BDA
Número de pieza del fabricante | H410R2BDA |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H410R2BDA |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Holco, Holsworthy |
H410R2BDA Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Resistencia | 10.2 Ohms |
Tolerancia | ±0.1% |
Potencia (vatios) | 0.5W, 1/2W |
Composición | Metal Film |
Caracteristicas | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±25ppm/°C |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C |
Paquete / Caja | Axial |
Paquete del dispositivo del proveedor | Axial |
Tamaño / Dimensión | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de terminaciones | 2 |
Tasa de fracaso | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H410R2BDA Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H410R2BDA-FT |
H862KFYA
TE Connectivity Passive Product
H862KFZA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDCA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8649KDZA
TE Connectivity Passive Product
H8681KDYA
TE Connectivity Passive Product
H8681KDZA
TE Connectivity Passive Product
H868KFDA
TE Connectivity Passive Product
H868KFYA
TE Connectivity Passive Product
H868KFZA
TE Connectivity Passive Product
A3P060-2TQ144
Microsemi Corporation
XC3S200-4PQ208I
Xilinx Inc.
A3PN060-ZVQ100
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3CQC
Microchip Technology
EP4CE55F23C7N
Intel
EP4CE75F23I7
Intel
5SGXEB6R2F40C2LN
Intel
XC7K325T-2FBG900I
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2C8Q208I8N
Intel