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ON Semiconductor H11G2TVM

Número de pieza de MFG
H11G2TVM
Cantidad disponible
58160 Piezas
Precio de referencia
USD 0.31884
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Fecha de envío
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fabricante
ON Semiconductor
Breve descripción
- OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
H11G2TVM.pdf
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Número de pieza del fabricante H11G2TVM
Número de parte futuro FT-H11G2TVM
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
H11G2TVM Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
número de canales 1
Tensión - Aislamiento 4170Vrms
Relación de transferencia de corriente (min) 1000% @ 10mA
Relación de transferencia de corriente (Máx.) -
Tiempo de encendido / apagado (tipo) 5µs, 100µs
Tiempo de subida / caída (tipo) -
Tipo de entrada DC
Tipo de salida Darlington with Base
Voltaje - Salida (Máx.) 80V
Corriente - Salida / Canal -
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) 1.3V
Corriente - DC Forward (If) (Max) 60mA
Saturación Vce (Max) 1V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 100°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja 6-DIP (0.400", 10.16mm)
Paquete del dispositivo del proveedor 6-DIP
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
H11G2TVM Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto H11G2TVM-FT

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