casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11B2M-V
Número de pieza del fabricante | H11B2M-V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H11B2M-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11B2M-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 200% @ 1mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 25µs, 18µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B2M-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11B2M-V-FT |
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
ON Semiconductor
MCT5201SR2M
ON Semiconductor
MCT2ESM
ON Semiconductor
MCT2ESR2VM
ON Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQ100C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FGG456C
Xilinx Inc.
XA7A35T-1CSG325I
Xilinx Inc.
APA1000-FG896M
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
10AX032H3F35I2SG
Intel
LFEC20E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel