casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11B255M-V
Número de pieza del fabricante | H11B255M-V |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H11B255M-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11B255M-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 100% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 25µs, 18µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Darlington with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 55V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 1V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11B255M-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11B255M-V-FT |
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SM
ON Semiconductor
CNY17F4SR2VM_F132
ON Semiconductor
CNY17F4SVM
ON Semiconductor
H11AA13S
ON Semiconductor
H11AA13SD
ON Semiconductor
H11AA4SDM
ON Semiconductor
MCT5201SR2M
ON Semiconductor
XC3S50A-4TQG144I
Xilinx Inc.
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQI
Microchip Technology
5CGXBC7B7M15C8N
Intel
XC5VLX30T-3FFG665C
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FFG784C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel