casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11AA1S(TB)-V
Número de pieza del fabricante | H11AA1S(TB)-V |
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Número de parte futuro | FT-H11AA1S(TB)-V |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11AA1S(TB)-V Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 20% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 10µs, 10µs (Max) |
Tiempo de subida / caída (tipo) | 10µs, 10µs (Max) |
Tipo de entrada | AC, DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-SMD |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11AA1S(TB)-V Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11AA1S(TB)-V-FT |
CNY17-1S1(TB)
Everlight Electronics Co Ltd
CNY17-1S1(TB)-V
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CNY17-2S(TA)
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CNY17-2S(TA)-V
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CNY17-2S(TB)-V
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CNY17-2S1(TB)-V
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EPF10K10TC144-3N
Intel
A1010B-PQG100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQG100I
Microsemi Corporation
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A42MX36-2PQG240I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E2H29C1N
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XC5VLX220-2FFG1760C
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XC7K160T-L2FBG484I
Xilinx Inc.
EPF6016AQI208-2
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EP4SGX360HF35C4N
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