casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11A5TVM
Número de pieza del fabricante | H11A5TVM |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H11A5TVM |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11A5TVM Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 7500Vpk |
Relación de transferencia de corriente (min) | 30% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 2µs, 2µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 30V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.18V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 100°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A5TVM Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11A5TVM-FT |
4N28TVM
ON Semiconductor
4N28W
ON Semiconductor
4N29300W
ON Semiconductor
4N29TM
ON Semiconductor
4N29TVM
ON Semiconductor
4N29W
ON Semiconductor
4N30300W
ON Semiconductor
4N30W
ON Semiconductor
4N31300W
ON Semiconductor
4N31W
ON Semiconductor
XC2S50E-6FTG256C
Xilinx Inc.
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXMA3K3F35C2N
Intel
EP4SE360F35I3
Intel
M1A3P600L-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX057K2F35E1SG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel