casa / productos / Aisladores / Optoaisladores - Transistor, Salida Fotovoltaica / H11A4M
Número de pieza del fabricante | H11A4M |
---|---|
Número de parte futuro | FT-H11A4M |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
H11A4M Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
número de canales | 1 |
Tensión - Aislamiento | 5000Vrms |
Relación de transferencia de corriente (min) | 10% @ 10mA |
Relación de transferencia de corriente (Máx.) | - |
Tiempo de encendido / apagado (tipo) | 3µs, 3µs |
Tiempo de subida / caída (tipo) | - |
Tipo de entrada | DC |
Tipo de salida | Transistor with Base |
Voltaje - Salida (Máx.) | 80V |
Corriente - Salida / Canal | - |
Voltaje - Adelante (Vf) (Tipo) | 1.2V |
Corriente - DC Forward (If) (Max) | 60mA |
Saturación Vce (Max) | 400mV |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 110°C |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-DIP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H11A4M Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | H11A4M-FT |
4N27FM
ON Semiconductor
4N27FR2M
ON Semiconductor
4N27FR2VM
ON Semiconductor
4N293S
ON Semiconductor
4N293SD
ON Semiconductor
4N29S
ON Semiconductor
4N29SD
ON Semiconductor
CNY172SVM
ON Semiconductor
CNY17F2SR2M_F132
ON Semiconductor
CNY17F3SR2M_F132
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-2TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C5
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
10CX220YF672I6G
Intel
XC2V6000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
10AX022E3F29E1SG
Intel
EP1C12Q240I7N
Intel
10M02DCV36I7G
Intel