casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / GTE10-P1212
Número de pieza del fabricante | GTE10-P1212 |
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Número de parte futuro | FT-GTE10-P1212 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G10 |
GTE10-P1212 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Proximity |
Distancia de detección | 0.787" ~ 51.181" (20mm ~ 1.3m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 500µs |
Configuración de salida | PNP |
Método de conexión | Cable |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | 78.74" (2m) |
Fuente de luz | Red (625nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 60°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTE10-P1212 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GTE10-P1212-FT |
GRTE18S-N234Z
SICK, Inc.
GRTE18S-N2362
SICK, Inc.
GRTE18S-N2367
SICK, Inc.
GRTE18S-N236Z
SICK, Inc.
GRTE18S-P1312
SICK, Inc.
GRTE18S-P1317
SICK, Inc.
GRTE18S-P1342
SICK, Inc.
GRTE18S-P1347
SICK, Inc.
GRTE18S-P134Z
SICK, Inc.
GRTE18S-P1362
SICK, Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FG256
Microsemi Corporation
10M25DCF484I7G
Intel
5SGXEA3K3F35I3N
Intel
XC7VX1140T-1FLG1930C
Xilinx Inc.
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2FGG144I
Microsemi Corporation
10AX016E3F29I2LG
Intel