casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / GTE10-N4212
Número de pieza del fabricante | GTE10-N4212 |
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Número de parte futuro | FT-GTE10-N4212 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G10 |
GTE10-N4212 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Proximity |
Distancia de detección | 0.787" ~ 51.181" (20mm ~ 1.3m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 500µs |
Configuración de salida | NPN |
Método de conexión | Connector, M12 |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (625nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -30°C ~ 60°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GTE10-N4212 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GTE10-N4212-FT |
GRTE18S-N231Z
SICK, Inc.
GRTE18S-N2347
SICK, Inc.
GRTE18S-N234Z
SICK, Inc.
GRTE18S-N2362
SICK, Inc.
GRTE18S-N2367
SICK, Inc.
GRTE18S-N236Z
SICK, Inc.
GRTE18S-P1312
SICK, Inc.
GRTE18S-P1317
SICK, Inc.
GRTE18S-P1342
SICK, Inc.
GRTE18S-P1347
SICK, Inc.
M2GL025T-VF400
Microsemi Corporation
AT40K05LV-3DQC
Microchip Technology
5AGZME3E2H29I3LN
Intel
XC6VLX130T-L1FFG1156I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29I3
Intel
EP4CE30F29C9L
Intel
EP20K60EQC240-3
Intel