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GT60N321(Q) Image

Toshiba Semiconductor and Storage GT60N321(Q)

Número de pieza de MFG
GT60N321(Q)
Cantidad disponible
27350 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descripción
- IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante GT60N321(Q)
Número de parte futuro FT-GT60N321(Q)
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GT60N321(Q) Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo IGBT -
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) 1000V
Corriente - Colector (Ic) (Max) 60A
Corriente - Colector Pulsado (Icm) 120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.8V @ 15V, 60A
Potencia - max 170W
Energía de conmutación -
Tipo de entrada Standard
Carga de la puerta -
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 330ns/700ns
Condición de prueba -
Tiempo de recuperación inverso (trr) 2.5µs
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete / Caja TO-3PL
Paquete del dispositivo del proveedor TO-3P(LH)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT60N321(Q) Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GT60N321(Q)-FT

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