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Renesas Electronics America GT28F320C3BA110

Número de pieza de MFG
GT28F320C3BA110
Cantidad disponible
73910 Piezas
Precio de referencia
USD 5.481
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Fecha de envío
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fabricante
Renesas Electronics America
Breve descripción
- IC SRAM 8M PARALLEL 52TSOP
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-GT28F320C3BA110
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
GT28F320C3BA110 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Last Time Buy
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM
Tamaño de la memoria 8Mb (1M x 8, 512K x 16)
Frecuencia de reloj -
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página 45ns
Tiempo de acceso 45ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.4V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width)
Paquete del dispositivo del proveedor 52-TSOP II
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GT28F320C3BA110 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto GT28F320C3BA110-FT

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