casa / productos / Protección del circuito / TVS - Diodos / GSOT12C-E3-18
Número de pieza del fabricante | GSOT12C-E3-18 |
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Número de parte futuro | FT-GSOT12C-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSOT12C-E3-18 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Zener |
Canales unidireccionales | 2 |
Canales Bidireccionales | - |
Voltaje - Separación inversa (tipo) | 12V (Max) |
Voltaje - Avería (Min) | 13.5V |
Voltaje - Sujeción (Máx.) @ Ipp | 26V |
Corriente - Pulso pico (10 / 1000µs) | 12A (8/20µs) |
Potencia - Pulso pico | 312W |
Protección de línea eléctrica | No |
Aplicaciones | General Purpose |
Capacitancia a frecuencia | 115pF @ 1MHz |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSOT12C-E3-18 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSOT12C-E3-18-FT |
GSOT36C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT03C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT36-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT04-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT05C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT12C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSOT24C-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GL05T-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K30ATC144-2
Intel
XCV50E-8FG256C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C6N
Intel
10AX048H3F34E2SG
Intel
EP3SL110F1152I3
Intel
XC6VCX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC20E-3FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation