casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GSIB6A60L-802E3/45

            | Número de pieza del fabricante | GSIB6A60L-802E3/45 | 
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-GSIB6A60L-802E3/45 | 
| SPQ / MOQ | Contáctenos | 
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others | 
| serie | - | 
| GSIB6A60L-802E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock | 
| Estado de la pieza | Obsolete | 
| Tipo de diodo | Single Phase | 
| Tecnología | Standard | 
| Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V | 
| Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.8A | 
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A | 
| Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V | 
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje | Through Hole | 
| Paquete / Caja | 4-SIP, GSIB-5S | 
| Paquete del dispositivo del proveedor | GSIB-5S | 
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN | 
| GSIB6A60L-802E3/45 Peso | Contáctenos | 
| Número de pieza de repuesto | GSIB6A60L-802E3/45-FT | 

GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6J-5410M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

GBU6JL-5000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division

XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.

XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.

A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation

EP3C25E144C8N
Intel

EP4SE530H40I3N
Intel

A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation

LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation

LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEBA2U19C8N
Intel

EP2SGX90FF1508I4
Intel