casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GSIB6A60L-802E3/45
Número de pieza del fabricante | GSIB6A60L-802E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-GSIB6A60L-802E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSIB6A60L-802E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2.8A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 3A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GSIB-5S |
Paquete del dispositivo del proveedor | GSIB-5S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB6A60L-802E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSIB6A60L-802E3/45-FT |
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-5410M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6JL-5000E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
EPF10K50ETI144-3
Intel
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
10M50DCF256I6G
Intel
EP4SGX290KF40I4
Intel
5SGXMA7N1F45C1N
Intel
5SGXEB5R2F43I2LN
Intel
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation