casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / GSIB2580-5402E3/45
Número de pieza del fabricante | GSIB2580-5402E3/45 |
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Número de parte futuro | FT-GSIB2580-5402E3/45 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
GSIB2580-5402E3/45 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 3.5A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-SIP, GSIB-5S |
Paquete del dispositivo del proveedor | GSIB-5S |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSIB2580-5402E3/45 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSIB2580-5402E3/45-FT |
GBU6DL-5302E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-5302M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6DL-7005M3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6GL-6130M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1E3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
GBU6J-1M3/51
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel