casa / productos / Sensores, Transductores / Sensores ópticos - fotoeléctricos, industriales / GSE6-P4212
Número de pieza del fabricante | GSE6-P4212 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-GSE6-P4212 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | G6 |
GSE6-P4212 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Método de detección | Through-Beam |
Distancia de detección | 590.551" (15m) |
Suministro de voltaje | 10V ~ 30V |
Tiempo de respuesta | 500µs |
Configuración de salida | PNP |
Método de conexión | Connector, M8 |
Protección de ingreso | IP67 |
Longitud del cable | - |
Fuente de luz | Red (650nm) |
Tipo de ajuste | Adjustable, Potentiometer |
Temperatura de funcionamiento | -25°C ~ 55°C (TA) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GSE6-P4212 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | GSE6-P4212-FT |
GRTE18-P2467
SICK, Inc.
GRTE18S-E231Z
SICK, Inc.
GRTE18S-E234Z
SICK, Inc.
GRTE18S-E236Z
SICK, Inc.
GRTE18S-F134Z
SICK, Inc.
GRTE18S-F2319
SICK, Inc.
GRTE18S-F2349
SICK, Inc.
GRTE18S-F234X
SICK, Inc.
GRTE18S-F234Z
SICK, Inc.
GRTE18S-F2369
SICK, Inc.
A54SX16A-1FG144I
Microsemi Corporation
AX1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484I4
Intel
EP3C5F256A7N
Intel
EP4CE15M9C7N
Intel
XC4VFX20-11FFG672I
Xilinx Inc.
AX1000-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-35E-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DAU324I7G
Intel
5AGTFD7H3F35I5N
Intel